Описание

Системы индивидуальной влажной очистки подложек NANO-MASTERS разработаны для выполнения высококачественной очистки при сохранении доступности системы. Стандартная конфигурация системы предусматривает возможность очистки, химической очистки, очистки щеткой, а также центробежной очистки при высоких оборотах с инфракрасным нагревом и потоком N2. Запатентованная схема перемещения мегазвуковых сопел обеспечивает равномерную подачу мегазвуковой энергии; поэтому в любой точке поверхности уровень подводимой энергии находится ниже порога повреждения.

Характеристики системы

• Внешний диаметр 12 дюймов, Подложки 7 x 7 дюймов;
• Настольное исполнение;
• Вакуум с расходомерным соплом Вентури;
• Мегазвуковая очистка без повреждения образца;
• Независимое химическое распыление;
• Центробежная очистка с подачей подогретого азота;
• Микропроцессорное управление;
• Блок дозирования химических веществ;
• Защитные блокировки;
• Размер основания 19 х 26 дюймов.

Опции системы

• Очистка щеткой из поливинилацетата (100 об/мин);
• Очистка подложек щеткой после химико-механической планаризации поверхности (до 400 об/мин);
• Ионизатор азота;
• Ввод CO2 с мониторингом удельного сопротивления деионизированной воды;
• Материалы FM4910.

Характеристики системы

• Четыре канистры из полиэтилена высокой плотности объемом 3,8 литра;
• Автономное исполнение;
• Двойной дренаж для кислот и растворителей;
• Обратные клапаны для предотвращения разбрызгивания.

Опции системы

• Очистка оборотной стороны деионизированной водой с последующей сушкой;
• Встроенные нагреватели деионизированной воды и химических составов;
• Датчики контроля утечек деионизированной воды и химических составов.

Область применения

• Очистка фотошаблонов или подложек с нанесенным или не нанесенным структурными элементами;
• Очистка подложек из Ge, GaAs и InP;
• Очистка подложек после химико-механической планаризации поверхности;
• Очистка разделенных кристаллов на раме подложки;
• Очистка после плазменного травления или удаления фоторезиста;
• Очистка заготовок фотошаблонов со слоем фоторезиста либо контактных фотошаблонов;
• Очистка масок для крайней УФ области спектра и рентгеновского излучения;
• Очистка оптических линз;
• Очистка панелей экранов, покрытых оксидом индия и олова;
• Процесс обратной литографии с мегазвуковым воздействием.