Наименование прибора: 2SK1202 Hitachi

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 110 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm

Тип корпуса: TO3PI

Аналоги: BF410A, 2N5484